隨著高性能半導體對于高精密電路的需求不斷攀升，PID的重要性日益凸顯。LG化學的液態PID具(ju)備(bei)高分辨率、低(di)(di)溫(wen)亦可穩(wen)定固化、兼具低(di)(di)收縮和低(di)(di)吸(xi)收率的(de)特性，有效(xiao)提高了工藝穩(wen)定性。此外，該(gai)產品不含PFAS(全氟及多氟烷基(ji)化(hua)合(he)物(wu))、NMP和甲苯等物質，更(geng)符合環(huan)境相關法(fa)規要(yao)求。

為正式(shi)布(bu)局(ju)PID材料市場，LG化學憑借其(qi)在(zai)顯示器、半(ban)導(dao)體和汽(qi)車(che)等電子材料領(ling)域積(ji)累(lei)的薄膜(mo)技術實力完成了薄膜(mo)PID的開發(fa)，并正在(zai)攜手全球領(ling)先半(ban)導(dao)體企業(ye)進行聯合開發(fa)。

近年來，伴隨著高性能半導體的加速發展，不僅僅是半導體芯片，基板亦需同(tong)步大型化和(he)微電路化。基板尺寸越大，越容易因溫度(du)變化所(suo)致的膨脹收(shou)縮系數(shu)差異而引發(fa)裂紋。同時，現(xian)有芯(xin)片上使用的液態PID在(zai)基板雙面(mian)應用和均勻涂覆(fu)方(fang)面(mian)仍存(cun)在(zai)困難。

同時，LG化(hua)學已(yi)實現封裝基板(ban)(ban)材料(liao)覆銅(tong)板(ban)(ban)(Copper Clad Laminate,?CCL)、穩定粘(zhan)接芯(xin)片與基板用芯(xin)片粘接膠膜(Die Attach Film, DAF)的規模化量(liang)產；并(bing)通過(guo)開發(fa)適(shi)用于HBM等(deng)高性能存儲器(qi)封裝的非導電(dian)薄膜(mo)(Non-Conductive Film, NCF)、可實現微電路和高層數結構的增層膜(Build-Up Film, BUF)等后道制程工藝材料，持續保持尖端封裝半導體材料的競爭力，并不斷擴大其在全球半導體材料市場的領先地位。